Migration of Mg and other interstitial metal dopants in GaN

application and construction of carbon paste modified electrodes developed for determination of metal ions in some real samples

ساخت الکترودهاِی اصلاح شده ِیکِی از چالشهاِی همِیشگِی در دانش شیمِی بوِیژه شیمِی تجزیه مِی باشد ،که با در نظر گرفتن سادگِی ساخت، کاربردی بودن و ارزان بودن روش مِی توان به باارزش بودن چنِین سنسورهاِی پِی برد.آنچه که در ادامه آورده شده به ساخت و کاربرد الکترودهاِی اصلاح شده با استفاده از نانو ذرات در اندازه گِیرِی ولتامترِی آهن وکادمِیم اشاره دارد. کار اول اختصاص دارد به ساخت الکترود خمِیر کربن اصلاح شده با لِیگاند داِ...

Luminescence of Acceptors in Mg-Doped GaN

Nature of Mg impurities in GaN

Mg-enhanced lateral overgrowth of GaN on patterned GaN/sapphire substrate by selective Metal Organic Vapor Phase Epitaxy

Selective and lateral overgrowth by Metal Organics Vapour Phase Epitaxy (MOVPE) was carried out until coalescence to produce smooth and optically flat thick GaN layers. A GaN epitaxial layer is first grown using atmospheric pressure Metalorganic Vapour Phase Epitaxy on a {0001} Al2O3. substrate. Then a 30Å silicon nitride dielectric film is deposited in-situ by reaction of silane and ammonia to...

Patterning Superatom Dopants on Transition Metal Dichalcogenides.

This study describes a new and simple approach to dope two-dimensional transition metal dichalcogenides (TMDCs) using the superatom Co6Se8(PEt3)6 as the electron dopant. Semiconducting TMDCs are wired into field-effect transistor devices and then immersed into a solution of these superatoms. The degree of doping is determined by the concentration of the superatoms in solution and by the length ...